高灵敏度硅压阻压力传感器及其制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：高灵敏度硅压阻压力传感器及其制备方法专利类型：发明专利发明人：缪建民

申请号：CN201410510901.5申请日：20140928公开号：CN1042969A公开日：20150121

摘要：本发明涉及一种压力传感器及其制备方法，尤其是一种高灵敏度硅压阻压力传感器及其制备方法，属于半导体压力传感器的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述高灵敏度硅压阻压力传感器，包括硅基底；所述硅基底上贴合有应变膜，且应变膜将硅基底内的上部密封形成真空腔；应变膜的中心区凹设有应力集中区，所述应力集中区位于真空腔的正上方；应变膜上设置用于形成惠斯通电桥桥臂的应变电阻，所述应变电阻位于应力集中区的外圈且位于真空腔的上方；应变膜上的应变电阻通过应变膜上方的金属电极电连接后形成惠斯通电桥；金属电极与应变膜间通过保护层相隔离。本发明结构紧凑，在不增大压力传感器面积和工艺难度下提高了灵敏度，安全可靠。

申请人：缪建民

地址：江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号研发大楼1606-1610

国籍：CN

代理机构：无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)

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