专利名称：制备铸造单晶硅的装置专利类型：实用新型专利发明人：武鹏,胡亚兰
申请号：CN201220035723.1申请日：20120203公开号：CN202465942U公开日：20121003
摘要：一种制备铸造单晶硅的装置，包括炉体、引晶组件、气体导流筒、安装在所述炉体中的隔热组件、放置在所述隔热组件内的坩埚及加热器，所述气体导流筒的一端穿插于所述隔热组件，另一端延伸至所述炉体外，所述引晶组件包括用于夹持籽晶的夹持头及用于驱动所述夹持头的驱动件，所述夹持头位于所述坩埚的上方。采用上述制备铸造单晶硅的装置制备铸造单晶硅的成本较低。
申请人：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
地址：221004 江苏省徐州市经济开发区杨山路88号
国籍：CN
代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：何平
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