专利名称：一种改善晶圆表面缺陷的方法专利类型：发明专利发明人：成鑫华
申请号：CN201910530004.3申请日：20190619公开号：CN110299285A公开日：20191001
摘要：本发明提供一种改善晶圆表面缺陷的方法，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供离子注入机台；步骤二、采用离子物理轰击方法去除所述离子注入机台中晶圆托盘表面的涂层，所述离子轰击的能量为500V～8KeV；步骤三、将所述晶圆托盘上的涂层去除后，利用该离子注入机台对晶圆进行离子注入。本发明通过离子轰击导致晶圆托盘表面温度升高，从而导致光刻胶物质挥发，有效去除表面的沉积的方法。该方法有效去除了沉积物质，降低缺陷的发生率，从而保证了产品的良率。
申请人：上海华力集成电路制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：戴广志
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