一种具有p层特殊掺杂结构的外延生长方法[发明专利]

来源：爱够旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种具有p层特殊掺杂结构的外延生长方法专利类型：发明专利发明人：王晓波

申请号：CN201410105868.8申请日：20140320公开号：CN10376A公开日：20140611

摘要：本发明提出一种具有p层特殊掺杂结构的外延生长方法。该方法在生长LED的p型层时，采用GaN/AlGaN超晶格结构的双元素掺杂，即在镁元素掺杂的同时掺入少量的硅烷。硅烷的掺杂属于施主，但少量的掺杂可以明显改善由于掺镁所引起的晶格缺陷，减少自补偿效应，改善晶体质量，使得非复合的缺陷中心减小，较少散射中心，提升载流子迁移率和受主的电离效率；另外，由于AlGaN生长温度较高，这种掺杂更利于镁的掺杂浓度提升，改善p层的掺杂效果，使得LED总体的发光效率极大提升。由于晶体质量的改善和阱垒层电导率的提升，使得电流扩展能力增强也提升了LED器件的可靠性。

申请人：西安神光皓瑞光电科技有限公司

地址：710100 陕西省西安市航天基地东长安街888号

国籍：CN

代理机构：西安智邦专利商标代理有限公司

代理人：胡乐

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文