专利名称：具有增加的沟道长度的半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：赵俊熙
申请号：CN200510003584.9申请日：20051230公开号：CN1841749A公开日：20061004
摘要：一种半导体器件包括：形成在基片预定部分中的沟槽以及在所述沟槽下的第一凹陷区。场氧化物层被埋到所述沟槽和第一凹陷区两者中。有源区由所述场氧化物层限定，并且具有第一有源区以及第二有源区。后者具有形成在比前者低的有源区部分中的第二凹陷区。阶梯栅图案形成在所述第一有源区和第二有源区之间的边界区上。所述栅图案具有阶梯结构，其一侧延伸到所述第一有源区的表面，且另一侧延伸到所述第二有源区的表面。
申请人：海力士半导体有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：杨红梅
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