专利名称：一种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法专利类型：发明专利发明人：边伟,何进
申请号：CN200810103747.4申请日：20080410公开号：CN101556922A公开日：20091014
摘要：本发明公开了一种纳米环栅MOSFET晶体管及其制备方法。该方法依次包括如下步骤：在衬底上生长隔离层，背栅介质层及隔离层，光刻该介质层之上的隔离层，得到背栅电极的图形，淀积牺牲侧壁介质层，致密，于该层光刻100纳米以内、半圆形截面的线条，淀积无定形硅介质层，并金属诱导为多晶硅晶化介质层，得到沟道区介质层，光刻该介质层，得到沟道区，生长隔离层，淀积多晶硅栅介质层，再以该栅介质层为掩膜离子注入，光刻背栅介质层得到背栅的预刻孔，在多晶硅栅介质层上，淀积钝化层，光刻得到接触孔，溅铝。该方法将硅基nanowire场效应器件与传统“scalingdown”加工方法相兼容，工艺简单，易于控制，所得晶体管具有高驱动能力，易于工艺实现，有望在未来的纳米集成电路中得到应用。
申请人：北京大学
地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号
国籍：CN
代理机构：北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人：关畅
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