专利名称：发光器件专利类型：实用新型专利发明人：金彰渊,蔡钟炫,李俊燮申请号：CN201620105519.0申请日：20160202公开号：CN205428990U公开日：20160803
摘要：本实用新型提供一种发光器件，包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、设置在第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层，和设置在第一和第二导电型半导体层之间的有源层；第一接触电极，其电连接到第一导电型半导体层；第二接触电极，设置在第二导电型半导体层上且电连接到第二导电型半导体层；支撑结构，包括第一和第二体电极，第一和第二体电极分别设置在第一和第二接触电极上以彼此分离并电连接到第一和第二接触电极；和基底，邻近支撑结构设置，其中基底包括分别电连接到第一和第二体电极的第一和第二互连部分，且第一和第二互连部分之间的距离不同于第一和第二体电极之间距离的距离。本实用新型的发光器件可确保电学稳定性。
申请人：首尔伟傲世有限公司
地址：韩国京畿道安山市檀园区山檀路163便道65-16
国籍：KR
代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司
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