一种高透磁钴靶及其制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种高透磁钴靶及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：罗俊峰,李勇军,黄志勇,范亮,张丹,蒋宇辉,王兴权申请号：CN201310653303.9申请日：20131205公开号：CN1046944A公开日：20150610

摘要：本发明涉及一种具有优异磁控溅射性能的高透磁率钴靶及其制备方法，主要应用于薄膜材料领域，以形成高质量钴溅射薄膜。本发明的高透磁钴靶的纯度在99.9%-99.999%，最大磁导率不高于8，靶材直径100-450mm，厚度3-5mm，透磁率（PTF）不低于70%。该制备方法包括，多向热锻、热轧、冷轧和冷轧后的交变磁场热处理。所制备的靶材能很好的满足磁控溅射工艺对钴靶的要求，得到的薄膜均匀性良好，性能优异。

申请人：有研亿金新材料股份有限公司

地址：102200 北京市昌平区超前路33号

国籍：CN

代理机构：北京众合诚成知识产权代理有限公司

代理人：陈波

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