专利名称：基于二噻吩并吡啶酮共聚物的半导体材料专利类型：发明专利
发明人：A·K·米什拉,S·瓦伊迪耶纳森,野口博义,F·德兹,Y·管申请号：CN201280018847.1申请日：20120416公开号：CN103517936A公开日：20140115
摘要：本发明提供了包含式(1)和/或(1’)单元的聚合物。本发明还提供了包含所述聚合物作为半导体材料的电子器件。
申请人：巴斯夫欧洲公司
地址：德国路德维希港
国籍：DE
代理机构：北京市中咨律师事务所
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