用于增材制造的晶格结构的结构保留拓扑优化的方法[发明专利]

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专利名称：用于增材制造的晶格结构的结构保留拓扑优化的方

法

专利类型：发明专利

发明人：S.R.穆苏瓦蒂,E.阿里索伊申请号：CN201580004025.1申请日：20150108公开号：CN105874510A公开日：20160817

摘要：用于增材制造的晶格结构（335）的结构保留拓扑优化的方法。方法包括：接收初始晶格模型（200）、要优化的初始晶格模型（200）的物理目标（176）、要应用于初始晶格模型（200）的力（225）及其相应位置（230）、以及用于经优化的晶格模型（205）的最优体积比（360）；计算初始晶格模型（200）的边界框（520）和轴线对准的体素网格（150）；计算初始晶格模型（200）的初始体积比（340）的隐含标量场表示（152）；将力（225）映射到其在轴线对准的体素网格（150）中的相应位置（230）；在初始晶格模型（200）上执行增材拓扑优化（300）以创建经优化的晶格模型（205）直到初始体积比（340）满足最优体积比（360）；以及存储经优化的晶格模型（205）。

申请人：西门子产品生命周期管理软件公司

地址：美国德克萨斯州

国籍：US

代理机构：中国专利代理()有限公司

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