自旋存储器和自旋场效应晶体管[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：自旋存储器和自旋场效应晶体管专利类型：发明专利

发明人：井口智明,齐藤好昭,杉山英行申请号：CN200710153622.8申请日：20070907公开号：CN101140944A公开日：20080312

摘要：一种自旋存储器，包括：磁阻元件(17)，其具有磁化方向被固定的第一铁磁层、磁化方向变化的第二铁磁层、以及在第一铁磁层和第二铁磁层之间的第一非磁性层；下电极(16)和上电极(18)，其延展方向相对第二铁磁层的难磁化轴的夹角在45度到90度之间，并且两者在长度方向上的一个端部之间夹着磁阻元件；被连接到下电极在长度方向上的另一个端部的开关元件(14)；以及被连接到上电极在长度方向上的另一个端部的位线(20)，其中，通过将自旋极化电子供给到第二铁磁层并将磁场从下电极和上电极施加到第二铁磁层上来进行写入。

申请人：株式会社东芝

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：王以平

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