专利名称：晶片处理设备及晶片处理方法专利类型：发明专利
发明人：陈伏宏,刘世振,刘家桦申请号：CN201711438495.6申请日：20171227公开号：CN108133906A公开日：20180608
摘要：本公开涉及一种晶片处理设备，包括：盖板，所述盖板适于遮盖所述晶片的中间区域并暴露所述晶片的边缘区域，其中，所述盖板的边缘区域的靠近所述晶片的表面设置有出气口，所述出气口被构造为使通入所述盖板内部的保护气体流到所述晶片的表面并形成连续的保护区域。本公开还涉及一种晶片处理方法。本公开可以在不需要更换晶片处理设备的情况下调整晶片处理区域的大小。
申请人：德淮半导体有限公司
地址：223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
国籍：CN
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：田菁
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