专利名称：半导体硫化物纳米管阵列及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：任山,白云帆,胡卓峰,卢灿荣,许宁生申请号：CN200710027519.9申请日：20070412公开号：CN101074492A公开日：20071121
摘要：本发明公开了一种半导体硫化物纳米管阵列及其制备方法。该硫化物纳米管阵列是在金属、硅、陶瓷、ITO玻璃或者玻璃衬底上，均匀分布有硫化物纳米管，纳米管外径为50nm～500nm，长度为500nm～30μm，壁厚为5～25nm；纳米管为单晶的半导体硫化物材料。制备方法采用两步法：第一步首先在平整的衬底上生长出平方厘米级以上面积的氧化物纳米线阵列；第二步是将得到的氧化物纳米线阵列在硫化性气体中硫化直接转化为硫化物纳米管阵列。本发明工艺简单，能够实现大面积的一维硫化物纳米阵列的制备。
申请人：中山大学
地址：510275 广东省广州市海珠区新港西路135号
国籍：CN
代理机构：广州市华学知识产权代理有限公司
代理人：陈燕娴
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