专利名称：一种表面修饰荧光硅量子点的制备方法专利类型：发明专利发明人：何耀
申请号：CN201010518438.0申请日：20101018公开号：CN102453483A公开日：20120516
摘要：本发明提供一种表面修饰荧光硅量子点的制备方法，包括a)提供包括酸和荧光硅量子点的混合前体溶液，采用光源辐射所述混合前体；b)采用光源辐射所述混合前体溶液得到表面修饰荧光硅量子点。现有技术相比，本发明使用光源辐射包括酸和荧光硅量子点的混合前体溶液，可以将酸修饰在荧光硅量子点的表面，得到表面修饰荧光硅量子点，表面修饰有酸的荧光硅量子点可以很好的溶解在水中，提高了荧光硅量子点的水分散性。
申请人：苏州大学
地址：215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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