专利名称：一种双向ESD保护电路专利类型：发明专利发明人：胡利志
申请号：CN202011546107.8申请日：20201224公开号：CN112448380A公开日：20210305
摘要：本发明揭示了一种双向ESD保护电路，接设于芯片供电端的引脚PIN与接地端的引脚GND之间，由二极管D1、PMOS管MP1~MP5、电阻R1相接构成，其中PMOS管MP1、MP2的漏极、MP4的栅极与引脚PIN相连接，MP4的源极、漏极与MP2的栅极共连相接，PMOS管MP1的源极、MP3的漏极、MP5的栅极与二极管D1的阴极相接于节点Vminus，MP5的源极、漏极与MP3的栅极共连相接，二极管D1的阳极与引脚GND相接于地，且PMOS管MP2、MP3的共源极和所有PMOS管的衬底均相接于节点Vbody，电阻R1接入PMOS管MP1的栅极与节点Vbody之间。应用该ESD保护电路设计，在正向静电或负向静电产生时，能利用正向耐高压的二极管吸收正向静电，负向二极管分压限制；通过简单设计和较小的面积占用，提高了ESD保护的可靠性，有效避免芯片内部电路受损。
申请人：成都思瑞浦微电子科技有限公司
地址：641400 四川省成都市高新区天辰路88号3栋2单元201号
国籍：CN
代理机构：南京苏科专利代理有限责任公司
代理人：陈忠辉
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