专利名称：衬底及其制备方法专利类型：发明专利发明人：张丽旸,程凯
申请号：CN201780094736.1申请日：20170907公开号：CN111052306A公开日：20200421
摘要：一种衬底及其制备方法，属于半导体领域。衬底包括：基础衬底(10)；薄膜层(11)，其中所述薄膜层(11)覆盖部分所述基础衬底(10)的表面，使所述基础衬底(10)具有未被所述薄膜层(11)覆盖的裸露表面(100)；以及凹孔(101)，位于至少部分所述裸露表面(100)上。该衬底具有凹孔，可以释放当在衬底上生长外延层时由于晶格失配和热失配所产生的应力，降低因压力过大而导致产生缺陷和裂纹的风险，从而减小后续在该衬底上制备得到的半导体的翘曲度，使其具有更好的质量与性能。
申请人：苏州晶湛半导体有限公司
地址：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
国籍：CN
代理机构：北京布瑞知识产权代理有限公司
代理人：孟潭
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