专利名称：一种离子注入的方法及设备专利类型：发明专利发明人：唐怡,董卫一鸣申请号：CN201811344422.5申请日：20181113公开号：CN109473344A公开日：20190315
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种离子注入的方法及设备。上述方法可以包括：产生满足注入能量的粒子束，粒子束包含目标离子和杂质粒子；对粒子束施加第一偏转磁场，使粒子束发生偏转，对偏转后的粒子束施加第二偏转磁场，使粒子束发生二次偏转，以使目标离子和杂质粒子分离；以及将分离出的目标离子注入至半导体晶圆。本发明的有益效果包括：能够进一步提高注入半导体器件的离子的纯度，以避免能量污染，从而提高半导体器件的产品质量。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
国籍：CN
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：徐伟
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