您的当前位置：首页 ELECTRONIC GIANT - 屹晶微电子首页

ELECTRONIC GIANT - 屹晶微电子首页

来源：爱够旅游网

REV1.0

屹晶微电子有限公司 EG83芯片用户手册V1.0 高速型CMOS轨到轨运放芯片

版本变更记录

版本号 V1.0 日期描述 2013年01月25日 EG83数据手册初稿

2 / 12

屹晶微电子有限公司 EG83芯片用户手册V1.0 高速型CMOS轨到轨运放芯片目录

1. 2. 3. 4.

特点 ..................................................................................................................................................................... 4 描述 ..................................................................................................................................................................... 4 应用领域 ............................................................................................................................................................. 4 引脚 ..................................................................................................................................................................... 5 4.1. 引脚定义 ............................................................................................................................................. 5 4.2. 引脚描述 ............................................................................................................................................. 5 结构框图 ............................................................................................................................................................. 6 电气特性 ............................................................................................................................................................. 7 6.1 极限参数 ............................................................................................................................................. 7 6.2 典型参数 ............................................................................................................................................. 7 应用设计 ............................................................................................................................................................. 9 7.1 陷波滤波器 ......................................................................................................................................... 9 7.2 比较器功能 ....................................................................................................................................... 10 7.3 光电二极管应用 ............................................................................................................................... 11 封装尺寸 ........................................................................................................................................................... 12 8.1 SOP8封装尺寸 .................................................................................................................................. 12

5. 6.

3 / 12

屹晶微电子有限公司 EG83芯片用户手册V1.0 高速型CMOS轨到轨运放芯片

EG83芯片用户手册V1.0

1. 特点

     

单电源供电：2.7 V至5.5 V 低电源电流：每个放大器200 uA 低输入电流：4 pA 宽带宽：4 MHz 单位增益稳定轨到轨输入和输出

2. 描述

EG83是一款低工作电流、单电源供电、4 MHz带宽及高速轨到轨输入与输出的双路运放。轨到轨输入与输出便于设计人员在单电源系统中实现ASIC缓冲。EG83经过优化设计,可以在较低电源电压时保持高增益,因而能够用于有源滤波器和增益级。

EG83具有极低的输入偏置电流,可用于积分器、光电二极管放大器、压电传感器以及其它具有较高源阻抗的应用。每路放大器的电源电流仅为200uA,非常适合电池供电应用。 EG83的额定温度范围为-40℃至+125℃扩展工业温度范围。EG83提供8引脚SOIC表面贴装封装。

3. 应用领域

   

ASIC输入或输出放大器压电传感器放大器移动通信便携式系统

 传感器接口  医疗仪器  音频输出

4 / 12

屹晶微电子有限公司 EG83芯片用户手册V1.0 高速型CMOS轨到轨运放芯片

4. 引脚

4.1. 引脚定义

8VCC765INB+OUTBINB-EG83OUTA1INA-INA+23GND4

图4-1. EG83管脚定义

4.2. 引脚描述

引脚序号 1 2 3 4 5 6 7 8 引脚名称 OUTA INA- INA+ GND INB+ INB- OUTB VCC I/O O I I GND I I O Power 运放A输出端运放A负极输入端运放A正极输入端运放的地端运放B正极输入端运放B负极输入端运放B输出端运放的电源端描述

5 / 12

屹晶微电子有限公司 EG83芯片用户手册V1.0 高速型CMOS轨到轨运放芯片

5. 结构框图

OUTA1AINA-2BINA+36INB-7OUTB8VCCGND45INB+

图5-1. EG83结构框图

6 / 12

屹晶微电子有限公司 EG83芯片用户手册V1.0 高速型CMOS轨到轨运放芯片

6. 电气特性

6.1 极限参数

无另外说明，在TA=25℃条件下符号 Vcc Vin Vdiff TA Tstr TL 参数名称电源输入端输入电压差分输入电压环境温度储存温度焊接温度测试条件 Vdd引脚相对GND的电压 - - - - T=10S 最小 0 0 -6 -45 -65 - 最大 6 6 6 125 150 300 单位 V V V ℃ ℃ ℃ 注：超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏，在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。

6.2 典型参数

无另外说明，在TA=25℃，VCC=5V,VCM=2.5V 符号输入特性参数名称测试条件最小 - - - - - - - - 0 40 38 20 10 2 典型 1 - 4 - - 0.1 - - - 48 - 40 - - 最大 6 7 60 100 1000 30 50 500 5 - - - - - 单位 mV mV pA pA pA pA pA pA V dB dB V/mV V/mV V/mV Vos 输入失调电压 -40℃≤ TA≤+125℃ IB 输入偏置电流 -40℃≤ TA≤+85℃ -40℃≤ TA≤+125℃ Ios 输入失调电流 -40℃≤ TA≤+85℃ -40℃≤ TA≤+125℃ Vcc CMRR 输入电压范围共模抑制比 Vcc=5V VCM=0V至5V -40℃≤ TA≤+125℃ RL=100kΩ，Vo=0.5V至2.2V Avo 大信号电压增益 -40℃≤TA≤+85℃ -40℃≤ TA≤+125℃ 2013 ©屹晶微电子有限公司版权所有 www.EGmicro.com

7 / 12

屹晶微电子有限公司 EG83芯片用户手册V1.0 高速型CMOS轨到轨运放芯片

ΔVOS/ΔT 失调电压漂移 -40℃≤ TA≤+125℃ -40℃≤TA≤+85℃ ΔIB/ΔT 偏置电流漂移 -40℃≤ TA≤+125℃ ΔIOS/ΔT 输出特性 IL=1mA, VOH 高电平输出电压 -40℃≤TA≤+125℃ IL=1mA, VOL IOUT Isc ZOUT 电源 Vs=2.5V至6V PSRR 电源抑制比 -40℃≤TA≤+125℃ VO=0V， ISY 动态性能 SR BWP 压摆率全功率带宽建立时间增益带宽积相位余量 RL=100KΩ 1% distortion 至0.1%(1V阶跃) 4.5 - - - - 5 250 3 1000 67 - - - - - V/us kHz uS kHz Degrees 每放大器电源电流 -40℃≤TA≤+125℃ - - 300 uA 60 - - 200 - 280 dB uA 65 76 - dB 低电平输出电压 -40℃≤TA≤+125℃ 输出电流输出短路电流闭环输出阻抗 VOUT=VS-1V f=200kHz，AV=1 - - - - - 30 ±60 45 125 - - - mV mA mA Ω 4.875 - - 25 - 100 V mV 4.9 4.965 - V 失调电流漂移 -40℃≤ TA≤+125℃ - - 2000 25 - - fA/℃ fA/℃ - - 4 100 - - uV/℃ fA/℃ ts GBP ΦM 噪声性能 en f=1kHz 电压噪声密度 f=10kHz 电流噪声密度 - - - 42 38 <0.1 - - - nV/√Hz nV/√Hz pA/√Hz en in 2013 ©屹晶微电子有限公司版权所有 www.EGmicro.com

8 / 12

屹晶微电子有限公司 EG83芯片用户手册V1.0 高速型CMOS轨到轨运放芯片

7. 应用设计

7.1 陷波滤波器

EG83具有非常高的开环增益，这使其适用于各种有源滤波器。例如，图7.1a所示EG83在典型双T陷波滤波器中的应用。双T陷波很简单、输出阻抗低，且最小化了运算放大器的用量。实际上，如果不需要调整Q值，这个陷波器可以只用一个运算放大器实现。如图7.1b所示，只要简单地去除运放B部分电路。然而，这个电路拓扑的主要缺点是要确保所有Rs和Cs严格匹配。器件必须严格匹配，否则陷波频率失调和漂移会导致电路对理想陷波频率衰减不足。为了达到期望的性能，通常需要有1%或者更好的器件容差或者特殊的器件选型。一种使电路对器件的不匹配不那么敏感的方法就是增加R2相对于R1的值，这会使Q值降低。更低的Q值使得衰减的频率范围更宽，但是降低了峰值陷波频率的衰减。

+5VR 100KΩ2C53.6uFR/250KΩC 26.7nFC 26.7nFR 100KΩ31/2 EG83A21VOUT+5VR 100KΩR2VINGNDGNDR 100KΩ2.5VREF1/2 EG837531/2 EG832.5KΩ1f0=2πRCVINR197.5KΩ2C53.6uFR/250KΩC 26.7nFC 26.7nFA21VOUTB6f0=4[1-1GNDGNDR1R1R2]2.5VREF2.5VREF

图7.1a 60Hz双T陷波滤波器，Q=10 图7.1b 60Hz双T陷波滤波器，Q=∞（理想情况）

图7.1c是EG83在陷波滤波器电路中的示例。频率相关负电阻（FDNR）陷波滤波器比双T陷波对严格匹配的要求更低，FDNR的Q值只与电阻R1成比例。虽然匹配的器件值仍然很重要，但是用FDNR电路达到所需性能会更容易和/或成本更低。例如，双T陷波使用三个具有两种固定值的电容，而FDNR电路仅使用两个电容，且其容值可以是相同的。U2A是一个简单的缓冲器，增加它可以降低电路的输出阻抗。

9 / 12

屹晶微电子有限公司 EG83芯片用户手册V1.0 高速型CMOS轨到轨运放芯片

2R1 Q ADJUST200ΩAU1A31VOUTVIN2.5VREFC1 1uFR 2.61KΩ1/2 EG83+5V581/2 EG83U1BR 2.61KΩGNDC2 1uF721U2A31/2 EG83R 2.61KΩ f=2π√LC1 L= R²C21 +5VR 2.61KΩ6U2B581/2 EG83742.5VREFNC2.5VREF

图7.1c 具有输出缓冲的FDNR 60Hz陷波滤波器

7.2 比较器功能

图7-2显示了EG83的1/2在标准过载检测应用中作为比较器使用，与很多运放不同，EG83可以兼做比较器，因为这种运放具有轨到轨差分输入范围、轨到轨输出和相对于功率比较高的速度。R2用于引入迟滞。当EG83作为比较器时，在5V时具有1us的传输延迟和1us过载恢复时间。

R2 1MΩR1 1KΩ3A1VOUTGNDVIN2.5VDC2.5VREF21/2 EG83

图7.2 EG83的比较器应用— —过载检测器

10 / 12

屹晶微电子有限公司 EG83芯片用户手册V1.0 高速型CMOS轨到轨运放芯片 7.3 光电二极管应用

EG83具有非常高的阻抗，输入偏置电流典型值为4pA左右。这个特性使EG83运放可在光电二极管及其它需要高输入阻抗的应用中使用。注意，EG83较大的电压失调可以通过电容去耦或者软件校准消除。图7-3显示了光电二极管或电流测量的应用。反馈电阻为10MΩ，这是为了避免过度的输出失调。另外，在同相输入端不需要电阻来消除偏置电流失调，因为与电压失调相比偏置电流相关的输出失调不明显。为了获得最好的性能，要遵守标准高阻抗布局布线技术，包括：  屏蔽电路  清洁电路板

 在反相输入端周围环绕与同相输入端连接的走线  使用分开的模拟和数字电源

C 100pFR 10MΩV+OR2A31VOUT1/2 EG832.5VREF2.5VREF图7.3 高输入阻抗应用— —光电二极管放大器

11 / 12

屹晶微电子有限公司 EG83芯片用户手册V1.0 高速型CMOS轨到轨运放芯片

8. 封装尺寸

8.1 SOP8封装尺寸

12 / 12

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文