小信号与大信号区别

1. 其实我们都知道，实际的器件，其电流电压特性都是非线形的！对BJT而言，集电极电流与VBE是指数关系，而对于MOS而言，漏极电流与VGS是平方关系，当然这是基于饱和区的讨论！非线性描述也就是大信号描述！

2. 但是，我们都知道，非线性方程是很难求解的，这就是要引入小信号的原因了！其本质在于利用了Taylor 展开再仅取一次近似！在偏置点附近对模型进行线性化处理！既然我们是在偏置点附近做近似，那么得到的线性模型参数就与偏置点的选取密切相关！这也就是我们在小信号分析前先进行大信号分析找出工作点的原因，而考虑到复杂性，这也是我们不用大信号模型而用小信号模型对一般信号进行分析的原因~

3. 再谈谈小信号的问题，“小“是一个相对概念，是指它的变化量，以正弦信号为例就是它的峰峰值，或者说是幅度值小！小既然是相对的，那么它就应该有一个范围！我们不能仅仅说这个相对值仅仅与具体电路有关！实际是，抓住小信号的本质，既然它是对大信号模型的一阶近似，那么它就与我们所容忍的计算误差有关系，也就是采用线性化处理非线性问题所带来的偏差！如果我们所容许的误差为10%，对于MOS管，那么小信号的最大幅度就为2/9（Vgs-Vt）,（Vgs-Vt）也称做过载电压（Vov），我们这里看到，小信号的最大幅度也与工作点的选取有关！

4. 再回到工程应用，实际上，我们处理的信号一般都小于所要求的最大幅值，因为通常不管对于BJT 还是MOS管，这个值为10mv左右！

2.

说简单一点，大信号就是区分管子工作在哪个区域，截止or线性or饱和，而小信号就是已知管子的工作区域，描述幅度很小的信号在该区域内的变化情况。所以小信号一定

会有一个偏置电压以保证该小信号工作在某个特定区域。你的理解基本正确，但并不是只在线性区进行小信号分析，饱和区一样也可以。

3.

小信号分析： 增益/带宽/稳定性等分析

大信号： 像有压摆率/THD等等时是大信号

大信号是一般是直流偏置量，小信号则是某个工作点的交流分析，如gm/gmb/ro等等

4.

前几天在一片论文中看到，小信号分析是指叠加的信号幅度小于热电压(kT/q)，器件工作在直流工作点附近的线性区，大信号分析是指叠加的信号幅度大于热电压（kT/q），此时器件的静态工作点不同于直流工作点，需要在大信号的基础上重新计算静态工作点。

5.

所谓的打信号和小信号是相对而言的，当你的信号强度不影响电路的偏置点工作时（或者说影响很小时），就可以看做小信号了。具体的小信号MOS管和双极性管不一样，MOS管的话一般信号电压小于（Vgs-Vth）/10时可以认为是小信号了。对于双极型晶体管来说一般小于10mv的电压就是小心号了，当然这里说的是一般。有时具体的还得按你的精确度来确定。