晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系[发明专利]

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专利名称：晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系专利类型：发明专利

发明人：惠浩浩,雷向阳,杨伟,邓雪然,王天宇,张帅,苏文虎,马

红菊,张剑锋,张利平,张清华

申请号：CN202011101538.3申请日：20201014公开号：CN112251137A公开日：20210122

摘要：本申请涉及激光材料领域，具体而言，涉及一种晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系。晶体涂膜元件包括：晶体基底；覆盖于所述晶体基底的匹配膜，所述匹配膜的材料为聚甲基硅氧烷与SiO的混合物；以及覆盖于所述匹配膜的减反膜，所述减反膜的材料包括SiO；聚甲基硅氧烷与SiO混合后固化形成匹配膜，聚甲基硅氧烷成膜时附着在晶体表面，其有机链状柔性结构有助于抑制晶体热膨胀造成的膜裂效应；SiO颗粒的引入可提高匹配膜的力学性能和热稳定性；使得到的匹配膜的热膨胀系数介于晶体基底与减反膜之间，形成物化性质较佳的匹配膜，改善减反膜易龟裂的问题。

申请人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心

地址：610000 四川省成都市武侯区科园一路3号

国籍：CN

代理机构：北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：吕露

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