专利名称：集成电路器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：郑在烨
申请号：CN201610177256.9申请日：20160325公开号：CN106024785A公开日：20161012
摘要：本发明提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括：衬底；第一鳍式有源区域和第二鳍式有源区域，它们在衬底上在第一方向上延伸；衬底上的第一栅线和第二栅线，它们在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及第一接触结构和第二接触结构。第一栅线和第二栅线分别与第一鳍式有源区域和第二鳍式有源区域交叉。第一接触结构位于第一栅线一侧的第一鳍式有源区域上并且接触第一栅线。第二接触结构位于第二栅线一侧的第二鳍式有源区域上。第一接触结构包括包含金属硅化物的第一下接触部分以及第一下接触部分上的第一上接触部分。第二接触结构包括包含金属硅化物的第二下接触部分以及第二下接触部分上的第二上接触部分。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
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