专利名称：非易失性存储器装置及其操作方法专利类型：发明专利
发明人：玄在雄,朴奎灿,朴允童,金元柱,陈暎究,金锡必,赵庆
来,李政勋,宋承桓
申请号：CN200710199197.6申请日：20071220公开号：CN101207136A公开日：20080625
摘要：本发明提供了一种高度集成的非易失性存储器装置和一种操作该非易失性存储器装置的方法。该非易失性存储器装置包括半导体层。多个上控制栅电极布置在半导体层的上方。多个下控制栅电极布置在半导体层的下方，多个上控制栅电极和多个下控制栅电极交替地设置。多个上电荷存储层置于半导体层和上控制栅电极之间。多个下电荷存储层置于半导体层和下控制栅电极之间。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道水原市灵通区梅滩3洞416
国籍：KR
代理机构：北京铭硕知识产权代理有限公司
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