含扩散缓冲层的新A P D制造方法[发明专利]

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专利名称：含扩散缓冲层的新A P D制造方法专利类型：发明专利发明人：林蔚,王永升

申请号：CN201010617670.X申请日：20101231公开号：CN1024194A公开日：20120704

摘要：本发明有关一种含扩散缓冲层的新APD(Avalanche Pho to Diodes)制造方法，该APD的基本晶膜结构包含N型基板、N型缓冲层、i型光吸收层、i型渐变层、N型场控层、i型光倍增层、i型金属接触层所组成，其中本发明于未扩散的i型金属接触层上方成长二元(磷化铟InP)或四元(砷磷化铟镓InGaAsP)薄半导体层，经黄光制程开孔后将部分薄半导体层材料蚀刻掉，由于i型金属接触层上方部分含有薄半导体层，使开孔后欲进行P型扩散材料与厚度不同，进而于基本晶膜内形成扩散深度不一的效果，使之减少至少一次的芯片整作流程，藉以节省成本与提高良率。

申请人：联亚光电工业股份有限公司

地址：中国台南县永康市中正路217巷1号

国籍：CN

代理机构：北京天平专利商标代理有限公司

代理人：孙刚

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