专利名称：一种半导体外延结构及其应用与制造方法专利类型：发明专利发明人：陈卫军,刘美华申请号：CN202011545882.1申请日：20200921公开号：CN112802890A公开日：20210514
摘要：本发明提出一种半导体外延结构及其应用与制造方法，所述半导体外延结构包括基板，低温氮化铝层，形成于所述基板上；以及高温氮化镓缓冲层，形成于所述低温氮化铝层上。通过本发明提供的一种半导体外延结构，可获得较无裂纹，表面形貌光滑的高质量的半导体外延结构。
申请人：深圳市晶相技术有限公司
地址：518000 广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人：朱艳
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