专利名称：正温度系数陶瓷热敏电阻的制备工艺专利类型：发明专利
发明人：方春行,刘维跃,沈继耀,谈家琪,徐庭献,曲远方申请号：CN85100019申请日：19850401公开号：CN85100019A公开日：19860210
摘要：一种半导体陶瓷热敏电阻的制备工艺，本发明采用SiO或SiO+AlO在合成主配方前引入工艺，使得用Fe、Mg等受主杂质含量较高的原料生产正温度系数陶瓷热敏电阻的瓷料易于半导化，提高了原料适用性及产品的成品率，产品的性能得到很大改善。
申请人：天津大学
地址：天津市南开区七里台
国籍：CN
代理机构：天津大学专利代理事务所
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