电子电气元器件说明大全

一．电阻器、电容器、电感器和变压器

图形符号 极性电容 双绕组变压器 注：可增加绕组数目 滑动触点电位器 带磁芯连续可调的电感器 可变电阻器或可调电阻器 带磁芯、铁芯的电感器 电阻器一般符号 名称与说明 图形符号 名称与说明 电感器、线圈、绕组或扼流图。注：符号中半圆数不得少于3个 0

可变电容器或可调电容器 绕组间有屏蔽的双绕组变压器 注：可增加绕组数目 双联同调可变电 容器。 注：可增加同调联数 在一个绕组上有抽头的变压器 微调电容器 二．半导体管 图形符号 号 发光二极管 名称与说明 (1) (2) 二极管的符 图形符号 名称与说明 JFET结型场效应管 (1)N沟道 (2)P沟道 1

光电二极管 PNP型晶体三极管 稳压二极管 变容二极管 NPN型晶体三极管 全波桥式整流器 三．其它电气图形符号 图形符号 名称与说明 具有两个电 极的压电晶 体注：电极数 或 目可增加 熔断器 号灯 扬声器 图形符号 名称与说明 接机壳或底板 导线的连接 导线的不连接 动合(常开)触点开关 2 指示灯及信 蜂鸣器 接大地 动断(常闭)触点开关 手动开关

一．电阻器和电位器

1． 电阻器和电位器的型号命名方法 表1 电阻器型号命名方法 第一部分：主称 符号 R W 意义 电阻器 电位器 符号 T H S J Y C I P U

第二部分：材料 意义 碳膜 合成膜 有机实芯 金属膜 氧化膜 沉积膜 玻璃釉膜 硼碳膜 硅碳膜 符号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 G 第三部分：特征分类 意义 电阻器 普通 普通 超高频 高阻 高温 ―― 精密 高压 特殊 高功率 3

第四部分：序号 电位器 普通 普通 ―― ―― ―― ―― 精密 对主称、材料相同，仅性能指标、尺寸大小有差别，N 无机实芯 特殊函数 但基本不影响互换使用的产特殊 ―― 品，给予同一X M G R 线绕 压敏 光敏 热敏 T W D B C P W Z 可调 ―― ―― 温度补偿用 温度测量用 旁热式 稳压式 正温度系数 ―― 微调 多圈 ―― ―― ―― ―― ―― 序号；若性能指标、尺寸大小明显影响互换时，则在序号后面用大写字母作为区别代号。 示例： (1) 精密金属膜电阻器

R J 7 3

第四部分：序号

第三部分：类别（精密） 第二部分：材料（金属膜） 第一部分：主称（电阻器） (2) 多圈线绕电位器

W X D 3

第四部分：序号

第三部分：类别（多圈） 第二部分：材料（线绕） 第一部分：主称（电位器） 2．电阻器的主要技术指标 (1) 额定功率

电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率，而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功率，如表2所示。

表2 电阻器的功率等级 名称 实芯电阻器

额定功率（W） 0.25 0.5 4

1 2 5 － 线绕电阻器 薄膜电阻器

0.5 25 0.025 2 1 35 0.05 5 2 50 0.125 10 6 75 0.25 25 10 100 0.5 50 15 150 1 100 (2) 标称阻值

阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。 表3 标称值系列 标称值系列 E24 E12 E6 10% 20% 精度 5% 电阻器（）、电位器（）、电容器标称值（PF） 1.0 2.2 4.7 1.0 3.3 1.0 1.1 2.4 5.1 1.2 3.9 1.5 1.2 2.7 5.6 1.5 4.7 2.2 1.3 3.0 6.2 1.8 5.6 3.3 1.5 3.3 6.8 2.2 6.8 4.7 1.6 3.6 7.5 2.7 8.2 6.8 1.8 3.9 8.2 － 8.2 2.0 4.3 9.1 － － 表中数值再乘以10n，其中n为正整数或负整数。 (3) 允许误差等级

表4 电阻的精度等级 允许误差(%) 等级符号 允许误差(%) 等级符号

3．电阻器的标志内容及方法

(1) 文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额

5

0.001 E 0.2 C 0.002 X 0.5 D 0.005 Y 1 F 0.01 H 2 G 0.02 U 5 0.05 W 10 0.1 B 20

J（I） K（II） M（III） 定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5，2K7表示2.7k，

表５ 文字符号 表示单位 欧姆() 千欧姆(103) 兆欧姆(106) 千兆欧姆(109) 兆兆欧姆(1012) R K M G T 例如： RJ71－0.125－5k1－II

允许误差10% 标称阻值(5.1k) 额定功率1/8W 型号 由标号可知，它是精密金属膜电阻器，额定功率为1/8W，标称阻值为5.1k允许误差为10%。

，

(2) 色标法： 色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点）

标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图1和图2所示。

标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字

标称值有效数字后0的个数

允许误差

颜 色 黑 棕

第一位有效值 第二位有效值 0 1 0 1 6

倍 率 100 101 允 许 偏 差 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 金 银 无色 2 3 4 5 6 7 8 9 2 3 4 5 6 7 8 9 102 103 104 105 106 107 108 109 ―20% ~ +50% 5% 101 102 10% 20% 图1 两位有效数字阻值的色环表示法 三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为20%）。例如，色环为棕黑红，表示10102＝1.0k20%的电阻器。

四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示15103＝15k5%的电阻器。

五色环电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红

4

紫绿黄棕表示27510＝2.75M1%的电阻器。

一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的（1.5~2）倍。

有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判断。

标称值第一位有效数字 标称值第二位有效数字 标称值第三位有效数字

标称值有效数字后0的个数 允许误差

7

颜色 第一位有效值 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰 白 金 银 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 第二位有效值 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 第三位有效值 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 101 102 倍 率 允许偏差 1% 2% 0.5% 0.25 0.1%  图2 三位有效数字阻值的色环表示法 4．电位器的主要技术指标 (1) 额定功率

电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。使用中应注意额定功率不等于中心抽头与固定端的功率。 (2) 标称阻值

标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。 (3) 允许误差等级

实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许20%、10%、5%、2%、1%的误差。精密电位器的精度可达0.1%。 (4) 阻值变化规律

指阻值随滑动片触点旋转角度（或滑动行程）之间的变化关系，这种变化关系可以是任何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式（指数式）。

在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式（指数式）电位器适合于作收音机、录音机、电唱机、电视机中的音量控制器。维修时若找不到同类品，可用直线式代替，但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调控制等。

5．电位器的一般标志方法

8

WT－ 2 3.3k 10%

允许误差10% 标称阻值3.3k 额定功率2W 碳膜电位器

WX－1 510 J

允许误差5% 标称阻值510 额定功率1W 线绕电位器 二．电容器

1．电容器型号命名法

表6 电容器型号命名法 第一部分：主称 符意 符号 C Y I O Z J 号 义 电 容 器 云母 玻璃釉 玻璃膜 纸介 金属化纸 5 6 4 2 3 第二部分： 材料 意义 瓷介 符号 1 瓷介 圆片 管形 迭片 独石 穿心 支柱 － － － － － － 密封 － 非密封 非密封 密封 － 烧结粉固体 烧结粉固体 － － 箔式 第三部分： 特征、分类 意义 云母 玻璃 － 箔式 非密封 非密封 对主称、材料相同，仅尺寸、性能指标略有不同，但基本不影响互使一序号；若尺寸性密封 能指标的差别明显；影响互换使用则在序号后面穿心 时，用大写字母作为区别代号。 电解 其他 第四部分： 序号 给予同密封 用的产品， 9

B L Q S H D A N G T E 聚苯乙烯 涤纶 漆膜 聚碳酸脂 复合介质 铝 钽 铌 合金 钛 其他 7 8 9 J W － 高压 － － － 无极性 － 特殊 － 高压 特殊 高压 － － － 金属膜 微调 示例： (1) 铝电解电容器

C D 1 1

第四部分：序号

第三部分：特征分类（箔式） 第二部分：材料（铝） 第一部分：主称（电容器） (2) 圆片形瓷介电容器 C C 1－1

第四部分：序号

第三部分：特征分类（圆片） 第二部分：材料（瓷介质） 第一部分：主称（电容器） (3)纸介金属膜电容器

C Z J X

第四部分：序号

第三部分：特征分类（金属膜） 第二部分：材料（纸介） 第一部分：主称（电容器）

10

2．电容器的主要技术指标

(1) 电容器的耐压： 常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V，10V，16V，25V，40V，63V，100V，160V，250V，400V。

(2) 电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表7所示。

表7 容许误差 级别

(3) 标称电容量：

表8 固定式电容器标称容量系列和容许误差 系列代号 容许误差 标称容量对应值 10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,90 10,12,15,18,22,27,33,39,47,56,68,82 5%（I）或（J） 10%（II）或（K） 20%（III）或（m） 10,15,22,23,47,68 E24 E12 E6 0.2 I II III IV V 2% 5% 10% 20% +20% -30% +50% -20% +100% -10% VI 注：标称电容量为表中数值或表中数值再乘以10n，其中n为正整数或负整数，单位为pF。

3．电容器的标志方法

(1) 直标法 容量单位：F（法拉）、F（微法）、nF（纳法）、pF（皮法或微微法）。

1法拉=106微法=1012微微法， 1微法=103纳法=106微微法 1纳法=103微微法

例如：4n7 表示4.7nF或4700pF，0.22 表示0.22F，51 表示51pF。

有时用大于1的两位以上的数字表示单位为pF的电容，例如101表示100 pF；用小于1的数字表示单位为F 的电容，例如0.1表示0.1F。

(2) 数码表示法 一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字，后一位表示位率。即乘以10i，i为第三位数字，若第三位数字9，则乘10-1。如223J代表22103pF＝22000pF＝0.22F，允许误差为5%；又如479K代表4710-1pF，允许误差为5%的电容。这种表示方法最为常见。

11

（3）色码表示法 这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF。有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22000pF。

三．电感器

1．电感器的分类

常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。

2．电感器的主要技术指标 (1) 电感量:

在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比

其比例常数称为自感系数，用L表示，简称为电感。即：

LI

式中：＝磁通量 I＝电流强度

(2) 固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统

称为电感

器的固有电容。

(3) 品质因数：

电感线圈的品质因数定义为：

QLR

式中：－工作角频率，L－线圈电感量，R－线圈的总损耗电阻

(4) 额定电流：线圈中允许通过的最大电流。 (5) 线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。 2．电感器电感量的标志方法

(1) 直标法。单位H（亨利）、mH（毫亨）、H（微亨）、 (2) 数码表示法。方法与电容器的表示方法相同。 (3) 色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相似，色码一般有四种颜色，

12

前两种

颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为四．半导体分立器件

1．半导体分立器件的命名方法 （1） 我国半导体分立器件的命名法

表9 国产半导体分立器件型号命名法 第一部第二部分 第三部分 分 用数字表示器件电极的数目 符意义 号 2 二极 管 3 三极管 用汉语拼音字母表示器件的材料和极性 符号 A B C D A B C D E 意义 N型，锗材料 P型，锗材料 N型，硅材料 P型，硅材料 PNP型，锗材料 NPN型，锗材料 PNP型，硅材料 NPN型，硅材料 化合物材料 用汉语拼音字母 表示器件的类型 符意义 号 P 普通管 V 微波管 W 稳压管 C 参量管 Z 整流管 L 整流堆 S 隧道管 N 阻尼管 U 光电器件 K 开关管 X 低频小功 率管 （f＜G 3MHz, PC<1W） 高频小功率管 （f3MHz PC<1W） 符号 D A T Y B J CS BT FH PIN JG 意义 低频大功率管 （f＜3MHz, PC1W) 高频大功率管 （f3MHz PC1W） 半导体闸流管 (可控硅整流器) 体效应器件 雪崩管 阶跃恢复管 场效应器件 半导体特殊器件 复合管 PIN型管 激光器件 H，第四种颜色是误差位。

第四部分 用数字表示器件序号 第五部分 用汉语拼音表示规格的区别代号 例： 1) 锗材料PNP型低频大功率三极管： 2) 硅材料NPN型高频小功率三极管：

3 A D 50 C 3 D G 201 B

13

规格号 规格号 序号 序号 低频大功率 低频大功率

PNP型、锗材料 PNP型、锗材料

三极管 三极管 3) N型硅材料稳压二极管： 4) 单结晶体管：

2 C W 51 B T 3 3 E

序号 规格号 稳压管 耗散功率

N型、硅材料 三个电极

二极管 特种管 半导体 （2）国际电子联合会半导体器件命名法

表10 国际电子联合会半导体器件型号命名法 第一部分 用字母表示使用的材料 符号 A 锗材料 B B 硅材料 C D 意义 符号 A 检波、开关和混频二极管 变容二极管 低频小功率三极管 低频大功率三极管 Q R 发光器件 小功率可控硅

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第二部分 用字母表示类型及主要特性 意义 符号 M 封闭磁路中的霍尔元件 P 光敏元件 意义 第三部分 用数字或字母加数字表示登记号 符号 三 位 数 字 通用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记意义 第四部分 用字母对同一型号者分档 符号 A B C 同一型号器件按某意义 D 一参 C 砷化镓 E F 隧道二极管 高频小功率三极管 复合器件 及其它器件 磁敏二极管 开放磁路中的霍尔元件 高频大功率三极管 S T U X Y Z 小功率开关管 大功率可控硅 大功率开关管 倍增二极管 整流二极管 稳压二极管即齐纳二极管 一 个 字 母 加 两 位 数 字 号） 专用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号） E 数进档的标志  行分 D 锑化铟 G H R 复合材料 K L 示例（命名）： A F 239 S

AF239型某一参数的S档 普通用登记序号 高频小功率三极管 锗材料

国际电子联合会晶体管型号命名法的特点： 1) 这种命名法被欧洲许多国家采用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。

2) 第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。

3) 第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。

4) 第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，

15

而AC185则为NPN型。

5) 第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。 6) 型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。 n n个PN结器件 例： 1) JAN2N2904 2) 1N4001

JAN 2 N 2904 1 N 4001

EIA登记序号 EIA登记序号 EIA注册标志 EIA注册标志 三极管 二极管 军用品

2．常用半导体二极管的主要参数

表13 部分半导体二极管的参数 类参 数 号 最大正整流向电流电/mA 普通检波二

正向反向最高反向零压降击穿反向电流偏(在左电压工作/A 栏电/V 流值下)/V 1 150 16

反向恢复时间/ns 型 型 压电容/pF 流/mA 电压/V 2AP9 2AP7 2AP11 16 2.5 5 40 20 100 10 250 1 fH(MHz)150 25 10 fH(MH极2AP17 15 10 150 200 10 250 10 20 30 50 100 150 200 最大正整流向电流电/m流1 1 0.9 1 0.7 0.8 30 40 60 70 60 70 A30 B45 C6100 250 10 20 40 50 40 50 A20 B30 C40 D50 E60 1 3 2 2 z)40 200 150 150 管 锗开2AK1 关二2AK2 极管 2AK5 2AK10 2AK13 2AK14 硅开关二极2CK70A~E 2CK71A~E 2CK72A2CK73A~E 2CK74A~D 2CK75A~D 2CK76A~D 参 类 数 号

1.5 1 3 4 5 管 ~E 1 0 D75 E90 正向反向最高反向零压降击穿反向电流偏(在左电压工作/A 栏电/V 17

反向恢复时间/ns 型 型 压电电压A 整流二极2CZ53B 6 10 20 65 30 50 200 2CZ52B  H 2 /mA 0.1 0.3 0.5 1 3 1 1.5 3 流值下)/V 1 1 1 1 0.8 1.1 1.4 1.2 /V 25  600 50  1000 50  1000 50  1000 25  1000 50  1000 50  1000 50  1000 5 10 10 容/pF 同2AP普通二极管 管  M 2CZ54B  M 2CZ55B  M 2CZ56B  B 1N4001  4007 1N5391  5399 1N5400  5408 3.常用整流桥的主要参数 表14 几种单相桥式整流器的参数 参数 型号

不重复正向浪整流 正向反向反向工作电压/V 最高工作 电流电压漏电18

结温/oC 涌电流/A QL1 QL2 QL4 QL5 QL6 QL7 QL8 1 2 6 10 20 40 60 /A 0.05 0.1 0.3 0.5 1 2 3 降/V 1.2 /A 10 常见的分档为：25，50，100，200，400，500，600，700，800， 15 900，1000 130 4.常用稳压二极管的主要参数 表15 部分稳压二极管的主要参数 测试条件 参 型 数 号 2CW51 2CW52 2CW53 2CW54 2CW56 2CW57 2CW59 2CW60 2CW103 2CW110 工作电流为稳定电流 稳定电压 /V 2.5~3.5 3.2~4.5 4~5.8 5.5~6.5 7~8.8 8.5~9.8 10~11.8 11.5~12.5 4~5.8 11.5~12.5 稳定电压下 稳定电流/mA 10 环境温度<50oC 最大稳定电流/mA 71 55 41 38 27 26 稳定电流下 稳定电流下 电压温度系数/10-4/oC -9 -8 -6~4 -3~5 7 8 9 9 -6~4 9 环境温度＜10oC 最大耗散功率/W 0.25 反向漏电流 5 2 1 0.5 动态电阻/ 60 70 50 30 15 20 30 40 5 20 19 50 20 165 76 19 1 0.5 20 20 1 2CW113 2CW1A 2CW6C 2CW7C 16~19 5 15 6.0~6.5 10 30 30 10 52 240 70 30 0.5 40 20 8 10 11 0.05 1 1 0.2 5.常用半导体三极管的主要参数 (1) 3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管

表16 3AX51(3AX31)型半导体三极管的参数 原 型 号 新 型 号 极限PCM(mW) ICM(mA) TjM(oC) 3AX51A 100 100 75 30 12 12 500 12 40~150 交流参数 hre(10) hoe(s) hfe hie(k) 0.6~4.0.6~4.0.6~4.0.6~4.5 2.2 80 － 5 2.2 80 － 5 2.2 80 － 5 2.2 80 － f(kHz) NF(dB) 500 － 3AX31 3AX51B 100 100 75 30 12 12 500 12 40~150 500 8 3AX51C 100 100 75 30 18 12 300 12 30~100 500 － 3AX51D 100 100 75 30 24 12 300 12 25~70 500 － VCB＝-6V IE＝1mA VCB＝-2V IE＝0.5mA f＝1kHz VCB＝-6V IE＝1mA f＝1kHz Ta＝25oC IC＝1mA IC＝1mA VCB＝-10V VCE＝-6V VEB＝-6V VCE＝-1V IC＝50mA 测 试 条 件 参BVCBO(V) 数 BVCEO(V) 直流参数 ICBO(A) ICEO(A) IEBO(A) hFE hFE色标分档 (红)25~60；(绿)50~100；(蓝)90~150

20

管 脚 B E C

（2）3AX81型PNP型锗低频小功率三极管

表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数 型 号 极限PCM(mW) 200 75 -20 -10 -7 30 1000 30 0.6 0.65 40~270 6 200 75 -30 -15 -10 15 700 15 0.6 0.65 40~270 8 IC＝4mA IC＝4mA IE＝4mA VCB＝-6V VCE＝-6V VEB＝-6V VCE＝-1V IC＝175mA VCE＝VBE VCB＝0 IC＝200mA VCE＝-1V IC＝175mA VCB＝-6V IE＝10mA TjM(oC) BVCBO(V) BVCEO(V) BVEBO(V) 直流ICBO(A) ICEO(A) VBES(V) VCES(V) hFE 交 流 参 数 hFE色标分档 (黄)40~55 (绿)55~80 (蓝)80~120 (紫)120~180 (灰)180~270 (白)270~400 f(kHz) 3AX81A 200 3AX81B 200 测 试 条 件 参数 ICM(mA) 参数 IEBO(A) 21

管 脚 B E C

（3）3BX31型NPN型锗低频小功率三极管

表18 3BX31型NPN型锗低频小功率三极管的参数 型 号 极限参数 PCM(mW) ICM(mA) TjM(oC) BVCBO(V) BVCEO(V) BVEBO(V) 直流参数 ICBO(A) ICEO(A1000 800 ) IEBO(A) VBES(V)

3BX31M 125 125 75 -15 -6 -6 25 3BX31A 125 125 75 -20 -12 -10 20 3BX31B 125 125 75 -30 -18 -10 12 600 12 0.6 22

3BX31C 125 125 75 -40 -24 -10 6 400 6 0.6 测 试 条 件 Ta=25oC IC＝1mA IC＝2mA IE＝1mA VCB＝6V VCE＝6V VEB＝6V VCE＝6V IC＝100mA 25 0.6 20 0.6 VCES(V) 0.65 0.65 hFE 交 流 参 数 hFE色标分档 管 脚 f(kHz) 80~400 － 40~180 － 0.65 40~180 8 0.65 VCE＝VBE VCB＝0 IC＝125mA 40~180 f465 VCB＝-6V IE＝10mA VCE＝1V IC＝100mA (黄)40~55 (绿)55~80 (蓝)80~120 (紫)120~180 (灰)180~270 (白)270~400 B E C

(4) 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管

表19 3DG100(3DG6) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数 原 型 号 新 型 号 极限参3DG100A PCM(m100 W) ICM(mA) 30 40 30 30 20 40 30 IC＝100µA IC＝100µA (V) BVCEO(20 V)

23

3DG6 3DG100B 100 20 3DG100C 100 20 3DG100D 100 20 测 试 条 件 20 数 BVCBOBVEBO(4 V) 直流参ICBO(A) ICEO(A) 0.01 1 1 30 150 0.1 0.01 4 0.01 0.1 0.01 1 1 30 150 7 4 4 0.01 0.1 0.01 1 1 30 300 7 4 4 0.01 0.1 0.01 1 1 30 300 7 4 IE＝100A VCB＝10V VCE＝10V VEB＝1.5V IC＝10mA IB＝1mA IC＝10mA IB＝1mA VCE＝10V IC＝3mA VCB＝10V IE＝3mA f＝100MHz RL＝5 VCB＝-6V IE＝3mA f＝100MHz VCB＝10V IE＝0 数 IEBO(A) VBES(V) VCES(V) hFE 交流参fT(MHz) KP(dB) 7 数 Cob(pF4 ) hFE色标分档 管 脚 (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150 B E C

(5) 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管

表20 3DG130(3DG12) 型NPN型硅高频小功率三极管的参数 原 型 号 3DG12 24

新 型 号 3DG133DG130A 极参PCM(mW) 300  40  30  4  0.5  1  0.5  1  0.6 30  150  6  10 300  60  45  4  0.5  1  0.5  1  0.6  30  150  6  10 700 0B 700 3DG130C 700 300  40  30  4  0.5  1  0.5  1  0.6  30  300  6  10 3DG130D 700 300  60  45  4  0.5  1  0.5  1  0.6  30  300  6  10 测 试 条 件 IC＝100µA IC＝100µA IE＝100A VCB＝10V VCE＝10V VEB＝1.5V IC＝100mA IB＝10mA IC＝100mA IB＝10mA VCE＝10V IC＝50mA VCB＝10V IE＝50mA f＝100MHz RL＝5 VCB＝–10V IE＝50mA f＝100MHz VCB＝10V IE＝0 限ICM(mA) (V) BVCEO(V) BVEBO(V) 直参ICBO(A) A) A) VBES(V) VCES(V) hFE 交fT(MH流数 Cob(pF)

数 BVCBO流ICEO(数 IEBO(z) 参KP(dB) 25

hFE色标分档 管 脚 (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150 B E C

(5) 9011~9018塑封硅三极管

表21 9011~9018塑封硅三极管的参数 型 号 极PCM(m限参数 W) ICM(mA) BVCBO(V) BVCEO(V) BVEBO(V) 直参ICBO(A) 0.1 0.01 0.5 1 0.5 0.5 1 1 0,5 0.5 1 26

(3DG) 9011 200 20 20 18 5 0.01 (3CX) 9012 300 300 20 18 5 0.5 (3DX) 9013 300 300 20 18 5 0,5 (3DG) 9014 300 100 25 20 4 0.05 0.5 0.05 0.5 1 (3CG) 9015 300 100 25 20 4 0.05 0.5 0.05 0.5 1 (3DG) (3DG) 9016 200 25 25 20 4 0.05 0.5 0.05 0.5 1 9018 200 20 30 20 4 0.05 0.5 0.05 0.35 1 流ICEO(A) ) VCES(V) VBES(V)

数 IEBO(AhFE 交流数 fT(MHz) 30 100 3.5 30 30 30 80 2.5 30 80 4 30 500 1.6 30 600 4 10 参Cob(pF) KP(dB) 管 脚 hFE色标分档 (红)30~60 (绿)50~110 (蓝)90~160 (白)>150 E B C

6．常用场效应管主要参数

表22 常用场效应三极管主要参数 参数名称 饱和漏源电流IDSS(mA) 夹断电压VGS(V) N沟道结型 3DJ2 3DJ4 D~H D~H 0.3~10 <1~9 正向跨导gm(V) >2000 最大漏源电压BVDS(V) 最大耗散功率PDNI(mW) 栅源绝缘电阻rGS() 108 108 108 108 108 100 100 100 100 100 >20 0.3~10 <1~9 >2000 >20 3DJ6 D~H 0.3~10 <1~9 >1000 >20 3DJ7 D~H 0.35~1.8 <1~9 >3000 >20 MOS型N沟道耗尽型 3D01 3D02 D~H 10 1~9 1000 >20 D~H 25 1~9 4000 >12~20 25~100 108~109 100 100 >20 0.35~0.35~3D04 D~H 0.35~10.5 1~9 2000 27

G D 管脚 G

五．模拟集成电路

1.模拟集成电路命名方法（国产） 表23 器件型号的组成 第0部分 用字母表示器件符合国家标准 符号 C 中国制造 H E C F HTL ECL CMOS 线性放大器 路 W

或 S D S

第一部分 用字母表示器件的类型 符号 T TTL 意义 第二部分 用阿拉伯数字表示器件的系列和品种代号 第三部分 用字母表示器件的工作温度范围 符号 C E R M  0~70oC -40~85oC -55~85oC -55~125oC  D P J K F B 意义 符号 W 第四部分 用字母表示器件的封装 意义 意义 陶瓷扁平 塑料扁平 全封闭扁平 陶瓷直插 塑料直插 黑陶瓷直插 金属菱形 D 音响、电视电稳压器 28

J

接口电路 T 金属圆形 例：

C F 741 C T

金属圆形封装 0 o ~ 70 oC 器件代号 线性放大器 中国国家标准

2．国外部分公司及产品代号

表24 国外部分公司及产品代号 公司名称 美国无线电公司(BCA) 美国国家半导体公司 (NSC) 美国莫托洛拉公司(MOTA) 美国仙童公司(PSC) 美国德克萨斯公司(TII) 美国模拟器件公司(ANA) 美国英特西尔公司(INL)

3．部分模拟集成电路引脚排列

(1) 运算放大器，如图3所示： (2) 音频功率放大器，如图所示： 抑 抑

正 输 调 电 自 制 制 输 电 出 零 源 举 纹 空

29

代号 CA LM MC A TL AD IC 公司名称 美国悉克尼特公司(SIC) 日本电气工业公司(NEC) 日本日立公司(HIT) 日本东芝公司(TOS) 日本三洋公司(SANYO) 日本松下公司 日本三菱公司 代号 NE PC RA TA LA，LB AN M 纹 入 空

源 端 端 端 端 波 脚 波 端 脚

8 7 6 5 14 13 12 11 10 9 8 LM741 LA4100

1 2 3 4 1 2 3 4 5 6 7

调 负 正 负 空

零 输 输 电 偿 反 脚

端 入 入 源 端 端 馈

端 端 端

图3

(3) 集成稳压器，如图所示：

LM 317 1 2 3

输 电 衬 补 补 负 出 源 底 偿 端 地 地 端 图4 调 输 整 入

输出 图 5

30

4．部分模拟集成电路主要参数

(1) A741运算放大器的主要参数

表25 A741的性能参数 电源电压+UCC -UEE +3V~+18V，典型值+15V -3V~-18V-15V 输入失调电压UIO 输入失调电流IIO 开环电压增益Auo 输入电阻Ri 输出电阻Ro

(2) LA4100、LA4102音频功率放大器的主要参数

表26 LA4100~LA4102的典型参数 参数名称/单位 耗散电流/mA 电压增益/dB 输出功率/W 总谐波失真100 输出噪声电压/mV 条件 静 态 RNF＝220，f＝1kHz THD＝10%，f＝1kHz P0＝0.5W，f＝1kHz Rg＝0，UG＝45dB 30.0 45.4 1.9 0.28 0.24 典 型 值 LA4100 LA4102 26.1 44.4 4.0 0.19 0.21 2mV 20nA 106dB 2M 75 单位增益带宽积Au•BW 转换速率SR 共模抑制比CMRR 功率消耗 输入电压范围 50mW 13V 0.5V/S 90dB 1MHz ， 工 作 频 率 10kHz 注：+UCC＝+6V(LA4100)+UCC＝+9V(LA4102) RL＝8 (3) CW7805、CW7812、CW7912、CW317集成稳压器的主要参数

表27 CW78，CW79，CW317参数 参数名称/单位 输入电压/V

CW7805 +10 CW7812 +19 31

CW7912 -19 CW317 40 输出电压范围/V +4.75~+5.25 最小输入电压/V 电压调整率/mV 最大输出电流/A

+7 +3 +11.4~+12.6 +14 +3 -11.4~-12.6 -14 +3 +1.2~+37 +3Vi-Vo+40 0.02%/V 1.5 加散热片可达1A 32