专利名称：具有自体光子晶体结构的紫外发光二极管芯片的制
备方法
专利类型：发明专利
发明人：尉尊康,崔志勇,曾一平申请号：CN202011623915.X申请日：20201231公开号：CN112750924A公开日：20210504
摘要：本发明涉及一种具有自体光子晶体结构的紫外发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：(1)、在一次衬底(100)上生长外延结构(110)；(2)、在外延结构(110)顶层上表面沉积金属层(120)；(3)、在金属层(120)上沉积键合金属层(130)；(4)、在键合金属层(130)上键合二次衬底(140)；(5)、去除掉一次衬底(100)，裸露出外延结构(110)底层界面，然后对其进行蚀刻，形成接入电极的半导体层；(6)、采用激光辐照的方式在半导体层上制作由自体GaN与空气构成的自体光子晶体结构；(7)、在半导体层的具有自体光子晶体结构的出光面上沉积电极(150)。其加工简单、局限性小、成本低且光子晶体损结构伤小。
申请人：北京中科优唯科技有限公司
地址：101300 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号
国籍：CN
代理机构：北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：胡剑辉
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