一种制造半导体器件的方法及其半导体器件[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种制造半导体器件的方法及其半导体器件专利类型：发明专利

发明人：奥列格·G·格鲁钦科夫,小西里尔·卡布拉尔,奥马尔·多

库马西,克里斯蒂安·拉瓦伊

申请号：CN200410094949.9申请日：20041119公开号：CN1655332A公开日：20050817

摘要：本发明涉及制造半导体器件的方法及其器件。在适当制备的衬底上，进行选择性蚀刻工艺，露出沟道区的侧面(晶体管本体)。非常薄的硅化停止材料层，例如SiGe位于蚀刻区，覆盖沟道区的露出侧面。硅化停止材料针对制成的MOSFET类型(n沟道或p沟道)适当地掺杂(高度地)。然后，蚀刻区填充硅，例如通过Si处理工艺。然后在新填充的区域上进行硅化(形成例如CoSi)。硅化停止材料对硅填充材料的硅化，但防止硅化物延展越过硅化停止材料。

申请人：国际商业机器公司

地址：美国纽约

国籍：US

代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：付建军

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