专利名称：一种光催化含氟单体修饰制备超疏水多孔硅的方法专利类型：发明专利
发明人：吴连斌,苗笑梅,颜悦,裴勇兵,邵永帅申请号：CN201910630935.0申请日：20190712公开号：CN111074349A公开日：20200428
摘要：本发明涉及多孔硅表面修饰技术领域，尤其涉及一种光催化含氟单体修饰制备超疏水多孔硅的方法，本方法利用光催化的方式将带有双键的含氟基团单体与单晶硅片表面的硅氢键反应，从而将含氟基团化学接枝到多孔硅的表面，得到超疏水多孔硅。本发明克服了现有技术中的改善多孔硅表面化学和机械稳定性的方法处理难度大、反应要求高、反应程度不可控制，处理后的多孔硅稳定性差等缺陷，具有反应条件较为简单，高效，成本低廉的优点，反应后可以长期保持良好的超疏水状态，并在多种液体环境下保持稳定，且不影响多孔硅表面光致发光效应。此外，本技术应用较广，适用于一切具有硅氢键的硅基材料表面接枝改性，使得达到表面超疏水及稳定佳特性。
申请人：杭州师范大学
地址：310015 浙江省杭州市余杭区余杭塘路2318号
国籍：CN
代理机构：杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人：王江成
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