专利名称：溅射靶及氧化物半导体膜专利类型：发明专利
发明人：井上一吉,矢野公规,宇都野太申请号：CN200780045870.9申请日：20071130公开号：CN101558184A公开日：20091014
摘要：本发明提供一种溅射靶，其是含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物的溅射靶，其中，含有ZnGaO所示的化合物及InGaZnO所示的化合物。
申请人：出光兴产株式会社
地址：日本国东京都
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：朱丹
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