（12）实用新型专利
（21）申请号 CN201120387034.2 （22）申请日 2011.10.12 （71）申请人 科达半导体有限公司
地址 257091 山东省东营市府前大街65号
（10）申请公布号 CN202275140U
（43）申请公布日 2012.06.13
（72）发明人 闫稳玉;肖乾
（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 逯长明
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种MOSFET器件雪崩能量测试系统
（57）摘要
本实用新型实施例公开了一种MOSFET
器件雪崩能量测试系统，采用可程序控制电感器，逐步增加待测器件的电感负载，同时信号发生器向驱动电路提供驱动信号，驱动电路控制待测器件的开通或截止，再通过测量电路测量所述待测器件在相应的测量电压和/或测量电流下的反馈电压和/或反馈电流，并将测量结果提供给控制模块，控制模块根据所提供的结果判断待测器件是否被雪崩击穿，如果否则控制可程序控制电感器，根据设置的测试初始值及测试步长值，增加
待测器件的测试电流或电感负载，直至待测器件被雪崩击穿，同时计算并显示雪崩能量。因此，所述系统能够实现器件雪崩能量的自动程序化测试，使得测试方便简单，且测试结果精确。 法律状态
法律状态公告日2012-06-13 2013-12-04
法律状态信息
授权 专利权的终止
法律状态
授权
专利权的终止
权利要求说明书
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说明书
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