一种晶体硅太阳能电池的制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种晶体硅太阳能电池的制备方法专利类型：发明专利

发明人：蒋旭东,黄志林,肖剑峰申请号：CN201110428401.3申请日：20111220公开号：CN102437246A公开日：20120502

摘要：本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制备方法，在对硅片的背表面进行钝化处理工艺中，由于氧化铝具有固定的负电荷，因此能降低背表面的复合，同时因为氮化硅富含氢，因此能有效的实现钝化，另外氧化铝和氮化硅钝化叠层作为背反射器能大大提高长波光的吸收，钝化叠层介于背面电极和硅片间能大大降低晶体硅太阳能电池的翘曲度，而且能够有效降低对硅片中体少子寿命的影响；在制作背面电极时，由于腐蚀区域的腐蚀深度刚好去掉钝化叠层，因此能够有效地解决因硅片的背表面钝化后而引起的背面电极与硅片难以形成良好欧姆接触的问题，同时通过利用银线连接所有相邻的导电材料构成密集的网状结构，这种网状结构非常有利于硅片的背表面载流子的收集传导。

申请人：日地太阳能电力股份有限公司

地址：315040 浙江省宁波市高新区星光路211号

国籍：CN

代理机构：宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙)

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