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薄半导体芯片及其制造方法[发明专利]

来源:爱够旅游网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:薄半导体芯片及其制造方法专利类型:发明专利发明人:刘翊

申请号:CN03107511.8申请日:20030301公开号:CN1442889A公开日:20030917

摘要:本发明公开了一种半导体芯片及其制造方法。该半导体器件晶片(11)用双面热发泡粘接片(12)而与支承板(13)结合在一起,且该组件通过真空抽吸固定到真空抽吸底座(14)上。粘接片(12)的热发泡粘接层用作吸振层,藉此,即使晶片使用容易破碎的GaAs衬底,在高速打磨操作中晶片(11)也难以破碎。不用蜡来固定晶片(11),也不需要用油性研磨剂,使得防止了蜡和油的污染,并且清洁晶片都变得容易了。在130℃的加热使粘接片(12)的热发泡粘接层膨胀,从而晶片(11)容易自粘接片分离。

申请人:夏普公司

地址:日本大阪府

国籍:JP

代理机构:北京市柳沈律师事务所

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